戈多 Godot

前 Manta Network 首席研究员，专注美股期权和基本面。

2Suit

240followers

Feed

Livestream

Feed

1/ La voie technologique sous-jacente de la DRAM HBM se divise. Samsung, SK Hynix et Changxin poussent le 4F². Micron saute le 4F², continue d'optimiser le 6F², et se dirige directement vers la DRAM 3D à l'avenir. Samsung et Hynix développent également la 3D, la divergence porte sur le passage ou non par la génération 4F². 2/ La mise à niveau de HBM suit deux grandes lignes : Premièrement, augmenter la densité de stockage de la DRAM sous-jacente. Deuxièmement, l'empilement et l'interconnexion améliorent la capacité, la bande passante et l'efficacité énergétique. Ce débat de voie se concentre principalement sur le premier point. Le 4F² utilise un procédé de fabrication plus complexe pour obtenir une densité de stockage plus élevée. La surface théorique par cellule est réduite de 33 %, la densité de bits augmente de 50 %. Le coût est une fabrication complexe des transistors verticaux, la distance entre les condensateurs limite le gain réel de densité, et le rendement pose des défis. Micron utilise le 6F² mature pour gagner du temps et mise directement sur la DRAM 3D. Le risque est que la commercialisation de la DRAM 3D soit plus lointaine ; si le 4F² réalise en premier une production de masse à faible coût, Micron pourrait temporairement perdre son avantage en coûts. 3/ En toile de fond, Scott DeBoer, président de la technologie et des produits chez Micron, a indiqué lors d'une conférence téléphonique que l'entreprise étudie la technologie 4F² depuis environ 20 ans et a réalisé plusieurs prototypes. La décision finale d'abandonner concerne principalement deux problèmes. Le premier est la complexité et le coût de fabrication. Le second est que Micron estime que le facteur déterminant de la densité réelle de stockage de la DRAM est la distance entre les condensateurs. Les condensateurs ne peuvent pas être réduits indéfiniment, sinon le signal de lecture et la capacité de maintien des données seraient affectés. La réduction théorique de 33 % de la surface 4F² est difficile à traduire directement en une diminution équivalente de la surface totale de la puce, et encore plus difficile à convertir directement en baisse des coûts de fabrication. 4/ Changxin bénéficie d'une condition particulière, une capacité de financement relativement suffisante. L'introduction en bourse a levé 66,3 milliards de yuans nets, et en septembre, un plan d'investissement de 35 milliards pour la R&D et les tests a été annoncé, principalement financé par des fonds excédentaires. Pour Changxin, poursuivre la R&D sur le 4F² offre une chance de percée technologique et de gain de parts de marché, sa valeur stratégique peut être supérieure au retour financier à court terme. 5/ Au moins en ce qui concerne la réalisation des bénéfices en 2027-2028, je soutiens davantage la voie de Micron. Micron prévoit de lancer le procédé 1δ dans la seconde moitié de 2027, qui, tout en conservant l'architecture 6F², permettra une augmentation d'environ 25 % de la densité de bits. Parallèlement, il y a déjà des revenus commerciaux de HBM4, ce qui permet de continuer à investir dans l'amélioration du rendement et de l'emballage. Micron peut continuer à réduire les coûts sans assumer les risques supplémentaires du 4F². Le 4F² est difficile à changer immédiatement la dynamique de l'offre et de la demande sur le marché HBM. $MU